FF200R17KE3S4HOSA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | FF200R17KE3S4HOSA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | IGBT MODULE VCES 1200V 200A |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $179.10 |
10+ | $171.528 |
30+ | $167.7443 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 1700 V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 200A |
Supplier Device-Gehäuse | Module |
Serie | C |
Leistung - max | 1250 W |
Verpackung / Gehäuse | Module |
Paket | Tray |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
NTC-Thermistor | No |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Chassis Mount |
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE | 18 nF @ 25 V |
Eingang | Standard |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 3 mA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 310 A |
Konfiguration | Half Bridge Inverter |
Grundproduktnummer | FF200R17 |
FF200R17KE3S4HOSA1 Einzelheiten PDF [English] | FF200R17KE3S4HOSA1 PDF - EN.pdf |
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2024/05/14
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2024/06/5
FF200R17KE3S4HOSA1Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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